Жидкий фотопроявляемый резист для процессов травления и гальваники FER-850B

Общее описание продукции

• Превосходная кроющая способность.  Подходит для различных методов нанесения.
• Хорошая адгезия.
• Однородность покрытия без пузырей и микротрещин.
• Высокая устойчивость к травящим растворам, гарантирует чёткость кромки проводников.
• Высокая разрешающая способность, позволяет получать: зазор/проводник    размером 2 mil / 2mil. (1mil = 0,0254 мм.)
• Высокая механическая прочность покрытия.
• Широкое технологическое окно.
• Высокая фотографическая чувствительность.
• Лёгкое удаление фоторезиста  без осадка.
• Нетоксичен.

Метод нанесения: маркировка
Сеткографический: PR
Роликом: RL
Окунанием: CT
Аэрозоль: SP

Описание основных этапов обработки

1. Подготовка композиции.
   Композиция должна быть тщательно перемешана, рекомендуемое время перемешивания 5-10 мин., желательно выдержать перед применением готовую композицию в течение 20-30 мин.
2. Подготовка поверхности.
   При нанесении фоторезиста важную роль играет предварительная подготовка поверхности заготовки. Рекомендуется механическая зачистка, либо применение микротравителей.
3. Сеткографическая печать.
   Используйте полиэфирные, нейлоновые либо металлические сетки размером 90-120 нитейсм.
   Для нанесения рекомендуется использовать резиновый, либо полиуретановый ракель с твердостью по Шору: 65-75
   Угол наклона ракеля при печати должен составлять: 70-80°
   Толщина покрытия: толщина покрытия, после сушки 8-16 мкм.
4. Предварительная сушка.
   Стандартные условия сушки в сушильном шкафу приведены ниже, однако режимы сушки могут отличаться от приведенных, это зависит от применяемого сушильного оборудования, кол-ва заготовок печатных плат, используемых в процессе, их размещения в сушильной камере.  Поэтому мы рекомендуем произвести технологические испытания на Вашем оборудовании, прежде чем приступать к серийному запуску партии печатных плат. Рекомендуется выдерживать расстояние между заготовками в сушильном шкафу не менее 40-50мм.
   Первая сторона: 80 °С х 10 мин.
   Вторая сторона: 80 °С х 15 мин
   При одновременном нанесении фоторезиста с двух сторон: 80 °С х 15 мин
5. Экспонирование.
   Рекомендуемая энергия экспонирования: 100-200 мДжсм² ,
   Спектр УФ - излучения: 300-500 нм (6-8 ступень клина Штуффера)
6. Проявление.
   для проявления нанесенной композиции используйте 1-1,2% раствор карбоната калия или натрия
   давление распыления: 1,5-2,5 кгсм
   температура: 30-32°С
   время: 45-90 сек.
7. Окончательная сушка
   сушильный шкаф: темература 125 C^o, время 10-15 мин.
8. Удаление фоторезиста
   Фоторезист полностью удаляется 3-5% раствором NaOH, t = 40-50 C^o

Рекомендации по процессу

1. Рекомендуется работать с материалом в чистом помещении при температуре окружающей среды 20-25°С, относительная влажность воздуха 50-60%, при желтом источнике освещения, избегая флуоресцентного и солнечного света.
2. Для очистки сетки используйте очиститель № 950 (растворитель сложного эфира) или целлозольва или смешанный растворитель типа сложного эфира и целлозольва.
3. Материал поставляется готовым к применению, однако для регулировки вязкости можно использовать разбавитель Т-8, но не более 3%.
4. Оптимальная толщина покрытия на платах после окончательной сушки составляет 8-16 мкм. Толщина покрытия менее, указанной величины может привести к изменению физических и химических характеристик, а более толстое покрытие может привести к искажению элементов рисунка.
5. Обработка поверхности заготовки перед нанесением фоторезиста имеет ключевое значение для достижения надлежащего результата. Поэтому поверхность заготовки должна быть чистой и не иметь окисления и жирных пятен. В зависимости от степени и характера загрязнения поверхности заготовки, выберите микро травление, механическую очистку щеткой или оба процесса, чтобы обеспечить удаление любых неоднородностей. Затем промойте достаточным количеством воды и удалите остатки влаги. Избегайте соприкосновения рук с рабочей поверхностью заготовки и не допускайте контакта с маслом, смазкой или любой грязной поверхностью.
6. Для подбора времени экспонирования и проведения тестов на разрешение фоторезиста необходимо произвести проверку оборудования: проверить мощность ламп, УФ составляющую в спектре излучения, а также проконтролировать полученную толщину покрытия фоторезиста на заготовке.
7. Тщательно контролируйте качество проявляющего раствора в отношении его плотности, температуры, давления распыления и времени проявления. Недостаточный контроль может привести к ухудшению проявляющей способности или искажению рисунка.
8. При попадании в глаза или на кожу, промыть значительным количеством воды. Не смывайте с помощью какого-либо растворителя.
9. Работайте с  данным материалом в местах, защищенных от пожара или   воспламенения
10. Храните материал в холодном месте при температуре 10-25°С.